名称：氧化镁（MgO)

必须使用电子枪蒸发因该材料升华，坚硬耐久且有良好的紫外线（UV）穿透性，250nm时n=1.86，190nm时n=2.06， 166nm时K值为0.1， n=2.65。可用作紫外线薄膜材料。MGO/MGF2膜堆从200nm---400nm区域透过性良好，但膜层被限制在60层以内（由于膜应力）500nm时环境基板上得到n=1.70。由于大气CO2的干扰，MGO暴露表面形成一模糊的浅蓝的散射表层，可成功使用传统的MHL折射率3层AR膜（MgO/CeO2/MgF2）。 次数用完API KEY 超过次数限制

可是由于别的原因，高温蒸着通常是不受欢迎的，而离子助镀已成为一个普遍采用的方法其在低温甚至在室温时就可以得到比较高的折射，通常需要提供足够的氧气以避免（因为有吸收则降低透过率），但是可能也需要降低吸收而增大镭射损坏临界值（LDT).TiO2的折射率与真空度和蒸发速度有很大的关系，但是经过充分预熔和IAD助镀可以解决这一难题，所以在可见光和近红外线光谱中，TiO2很受到人们的欢迎. 在IAD助镀TiO2时，使用屏蔽栅式离子源蒸发则需要200EV，而用无屏蔽栅式离子源蒸发时则需要333EV或者更少一些，在那里平均能量估计大约是驱动电压的60%，如果离子能量超过以上数值，TiO2将有吸收.而SiO2有电子枪蒸发可以提供600EV碰撞（离子辐射）能量而没有什么不良效应. 次数用完API KEY 超过次数限制

3、触摸键操作方式，液晶显示器实时显示。显示界面可显示试验方法选择界面、试验参数选择界面、试验操作及结果显示界面和曲线显示界面，方便快捷。

4、可实现试样装夹时横梁快慢升降调整，具有过流、过压、过载等保护装置。

5、选配微机接口，可外接微机实现试验过程的控制及数据的存储、打印。

拼缝莫太窄大棚薄膜都是由若干窄幅薄膜拼接而成的，在拼接时要增大粘接面积，提高粘接强度。若拼缝太窄，粘接面积小用力拉扯时就会造成裂缝。

用线压住薄膜建大棚盖上薄膜后，应立即用压膜线压住。一般每隔1—2个棚架拉一道压膜线，线的松紧要适度，同时在迎风一面设立简易防风障。 次数用完API KEY 超过次数限制